삼성전자의 4세대 256Gb 3bit V낸드플래시. (사진=삼성전자 제공)
삼성전자가 3세대에 비해 성능이 1.5배 향상된 4세대 V낸드를 양산하면서 메모리의 세대교체에 들어간다.
삼성전자는 15일 '4세대(64단) 256기가비트(Gb) 3bit V낸드플래시'를 본격 양산하며 서버, PC, 모바일용 등 낸드 제품 전체로 4세대 V낸드 라인업을 확대한다고 밝혔다.
지난 1월 글로벌 B2B 고객들에게 공급을 시작한 4세대 256Gb V낸드 기반 SSD에 이어 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드 등에 4세대 V낸드를 확대한다는 것.
또 올해 안에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 글로벌 고객의 수요 증가에 대응해 나간다는 것이 삼성의 계획이다.
반도체를 48단으로 쌓던 3세대와 비교해 64단으로 집적도가 높아진 4세대 V낸드에는 '초고집적 셀 구조·공정'과 '초고속 동작 회로 설계'와 '초고신뢰성 CTF 박막 형성' 등 3가지 혁신 기술이 적용되어 3세대(48단) 제품 대비해 속도와 생산성, 전력 효율 모두 30% 이상 향상됐다고 삼성은 소개했다.
V낸드는 데이터를 저장하는 셀을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올려 위에서부터 하단까지 수십억 개의 미세한 홀(Hole, 구멍)을 균일하게 뚫어 수직으로 셀을 적층하는 '3차원 CTF 셀 구조'로 되어 있다.
삼성전자의 4세대 256Gb 3bit V낸드플래시. (사진=삼성전자 제공)
이로써 삼성전자는 4세대 V낸드를 계기로 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1테라(Tera) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술도 확보했다고 설명했다.
삼성은 이 4세대 V낸드가 '초고속 동작 회로 설계'로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송하며, 셀에 데이터를 기록하는 속도(tPROG)도 10나노급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로초, 백만분의 1초) 를 달성했다고 덧붙였다.
또 전압을 3.3V에서 2.5V로 낮춰 총소비전력 효율도 30% 이상 높였다.