삼성전자가 세계 최초로 개발에 성공한 10나노급 3세대 D램 /삼성전자
삼성전자는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.
2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만이다.
10나노 1세대는 1x로, 2세대는 1y로 명명했고 3세대는 1z가 되면서 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다.
3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.
값비싼 EUV(Extreme Ultra Violet) 즉 극자외선 노광장비를 쓰지 않아 원가가 더 싸지고 미세공정으로 전력은 덜 소모한다는 뜻이다.
삼성전자는 또 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다고 설명했다.
삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다.
또 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이라고 삼성은 덧붙였다.