연합뉴스
중국 반도체 기업으로 이직한 뒤 불법 유출된 국가 핵심기술을 부정 사용해 중국 최초로 18나노 D램 반도체를 개발한 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 구속기소됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소 했다고 밝혔다.

양씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직한 뒤 CXMT의 '2기 개발팀' 핵심 인력으로서 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 사용해 개발을 완수한 혐의를 받고 있다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조6천억원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다. 유출된 기술은 삼성전자가 1조6천억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술으로 파악됐다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접수사를 통해 CXMT의 '1기 개발팀'에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 각각 구속기소 했다.

검찰은 이후 개발 과정에 대한 추가 수사를 진행한 결과, CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김씨가 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 유출 자료를 부정 취득한 사실을 밝혀냈다.

이후 CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨는 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 이를 바탕으로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 파악됐다.

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이들은 1기 개발팀의 사업을 이어받아 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고, 이를 토대로 제조 테스트를 진행하는 등 완성 작업을 수행한 것으로 나타났다.

신씨 등은 개발에 참여하는 대가로 CXMT로부터 4~6년간 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억원의 높은 급여를 받았다.

이 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정되며 향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 보인다.

삼성전자에서 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 조사된 A씨는 현재 인터폴(국제형사경찰기구) 적색 수배가 걸렸다.

검찰은 "앞으로도 피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 밝혔다.