SK하이닉스가 HBM시장에서 확고한 1등 자리를 지키겠다는 포부를 밝혔다.
SK하이닉스는 27일 오전 10시 경기 이천시 본사에서 곽노정 SK하이닉스 사장 주재로 정기 주주총회를 개최했다.
곽 사장은 "그 어느 때보다 빠른 기술의 발전 속에서 HBM과 같은 고성능 메모리에 대한 고객의 니즈가 증가하고 있다"며 "AI 선도 기업과의 긴밀한 파트너십을 기반으로 HBM 1등 경쟁력을 지속적으로 유지할 것"이라고 강조했다.
이어 "HBM에서는 기존 MR-MUF기술보다 열 방출 성능이 10% 개선된 어드벤스드 MR-MUF를 통해 12단 HBM3를 개발했고, 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E는 이달부터 제품 공급을 시작했다"고 설명했다.
곽 사장은 "기존 D램 시장에서도 우리 회사의 기술적 우위를 지속하겠다"며 "올해 DDR 5로 세대 교체가 본격화될 것으로 예상됨에 따라 기술 경쟁력을 바탕으로 시장 지배력을 공고히 할 것"이라고 덧붙였다.
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곽 사장은 올해 사업 전략에 대해서는 "시장조사기관에서도 메모리 시장 규모가 올해를 기점으로 회복될 것으로 보고 있다"며 "신규 제품은 적기에 개발하되 시장 상황에 따라 유연하게 양산 규모를 조정하겠다. 다운턴이 다시 오더라도 안정적인 사업 운영이 가능하도록 체질을 개선하겠다"고 말했다.
곽 사장은 지난해 손실이 컸던 낸드플래시 부문의 사업 방향성에 대해 '수익성 중심'으로 전환한다고도 밝혔다.
곽 사장은 "점유율 중심에서 수익성 중심으로 사업 방향 전환하겠다"며 "낸드 테크 및 솔루션 기술 경쟁력 강화를 위한 투자는 지속하되 전체적인 낸드 투자 프로세스는 수익성 중심으로 운영하다"고 했다.
이어진 주주와의 질의 응답시간에는 지난해 사상 최고 실적을 낸 엔비디아와 달리 SK하이닉스는 9조원대 당기순손실을 낸 이유를 묻는 질문이 나왔다.
곽 사장은 이에 대해 "작년에는 전체 D램 판매량 중 HBM이 한 자릿수 퍼센트였고 대다수를 차지하는 D램 제품은 가격이 많이 떨어지고 수요가 부진했다"며 "올해는 계속 경쟁력을 강화해 수익성을 극대화할 수 있도록 노력하겠다"고 했다.
한편, 곽 사장은 주총 직후 미국 첨단 패키징 공장 부지 선정과 관련한 기자들의 질문에 "검토 중이지만 확정되지 않았다"며 "확정되면 말씀드리겠다"고 답했다.
앞서 파이낸셜타임스, 월스트리트저널 등은 SK하이닉스가 미국 첨단 패키징 공장 부지로 애리조나주가 아닌 인디애나주 웨스트 라파예트 지역을 낙점하고 40억 달러를 투입할 계획이라고 보도했다.
SK하이닉스는 이날 주총에서 재무제표 승인, 정관 변경, 사내이사·사외이사·기타비상무이사·감사위원 선임, 이사 보수한도 승인, 임직원 퇴직금 지급 규정 개정 승인 등 안건을 모두 원안대로 가결했다.