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이석희 사장 "향후 600단 낸드도 가능…메모리·처리장치 융합"

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SK하이닉스 이석희 대표이사 사장이 지난 22일 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS)에서 온라인으로 기조연설을 하는 모습. 연합뉴스

 

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이석희 SK하이닉스 사장이 낸드플래시의 기술 장벽으로 불리는 '200단'의 한계를 극복할 수 있는 가능성이 있다고 강조했다.

이 사장은 온라인으로 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 "앞으로 물질과 설계구조, 신뢰성을 개선해 낸드는 600단 이상 적층도 가능하게 될 것"이라고 말했다.

IRPS는 반도체 등 기술 엔지니어와 과학자들이 연구 성과를 공유하는 행사다.

앞서 SK하이닉스는 최근 미국의 마이크론에 이어 176단 낸드 개발에 성공한 바 있다. 하지만 더 나아가 이석희 사장은 성공적인 플랫폼 혁신이 이뤄진다면 600단 이상의 적층 낸드도 가능하다고 밝힌 것이다.

또한 그는 "패터닝 한계 등을 극복하면 D램은 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 공정에도 진입할 수 있다"고 덧붙였다.

끝으로 이 사장은 "디지털 전환 이후 새로운 정보통신기술(ICT) 시대에서 반도체의 역할이 중요하다"며 "인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합될 것"이라고 내다봤다.

그는 "메모리 반도체는 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것"이라며 뇌신경을 모방한 뉴로모픽 반도체, DNA의 정보저장 기능과 흡사한 DNA 반도체를 미래 반도체로 소개했다.

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