산업통상부는 17일 서울 강남 그랜드머큐어 임피리얼 팰리스에서 '차세대 전력반도체 포럼'을 열고, 관련 기술 로드맵 수립과 산업 생태계 육성 방안을 논의했다고 밝혔다.
이번 포럼은 지난 10일 정부가 발표한 'AI 시대 반도체 산업전략'의 후속 조치로, 산학연 관계자 100여명이 참석해 차세대 전력반도체 분야의 기술 개발 방향과 정책 과제를 구체화했다.
차세대 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체보다 고온·고전압 환경에서 효율이 높은 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 화합물 소재를 활용한 반도체로, AI 데이터센터와 전기차, 고전압직류송전(HVDC) 등 첨단 산업의 핵심 부품으로 활용될 전망이다.
산업부는 전력반도체 밸류체인 전반의 앵커기업과 참여기업, 연구기관 전문가 등으로 추진단을 구성해 기술 로드맵을 마련하고, 연구개발(R&D) 성과가 실제 제품 개발과 양산으로 이어질 수 있도록 수요 연계형 R&D 기획에 나설 계획이다.
아울러 추진단은 정례적인 포럼을 통해 지역별 핵심 거점을 중심으로 한 전력반도체 인프라 구축 방안을 논의하고, 국민성장펀드 연계와 반도체 특별법 운용 등 제도적 지원이 필요한 분야에 대해서도 정책 자문 역할을 수행할 예정이다.
산업부 관계자는 "첨단 산업 경쟁에서는 연산 성능뿐 아니라 전력 효율과 내구성이 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다"며 "2030년까지 화합물 전력반도체 기술 자립률과 국내 생산 비중을 두 배로 확대할 수 있도록 산학연관 간 정례적 소통을 강화하고 정책 역량을 집중하겠다"고 말했다.