삼성전자가 차세대 메모리 반도체 R&D(연구개발) 조직을 신설하고 3D(3차원) D램 연구 개발에 나섰다.
28일 업계에 따르면, 삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리의 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-D램 Path Finding'을 반도체연구소 산하 조직으로 신설했다.
이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구 개발한다. 업계는 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리거나, 셀 구조를 2단으로 쌓는 방식으로 기술 경쟁을 벌이고 있다.
현재 D램은 평면에 셀이 배치된 2D 구조다. 그동안 셀 크기를 줄이는 방식으로 제품이 발전했지만, 공정 선폭이 작아지면서 셀 면적 축소도 한계에 부딪혔다.
앞서 삼성전자는 지난해 10월 '메모리 테크 데이'를 통해 차세대 10나노 이하 D램에서 3D 구조를 도입하겠다는 계획을 공개했다. 또 지난해 일본에서 열린 VLSI 심포지엄에서 3D D램 연구성과를 담은 논문을 발표한 바 있다.
한편 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3D 수직구조 낸드의 상용화에 성공한 경험을 보유했다.