삼성전자가 AI(인공지능) 시대를 이끌 차세대 D램인 HBM3E인 샤인볼트(Shinebolt)를 처음 공개했다.
삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 멕에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 열고 차세대 메모리 솔루션을 소개했다.
삼성전자는 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트' △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 등을 발표했다.
특히 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리하는 속도다.
삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했고, 열전도를 극대화해 열 특성도 개선했다.
삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산하고 있고, HBM3E도 고객에게 샘플을 전달하고 있다고 설명했다. 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리(반도체 위탁생산)까지 결합한 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.
삼성전자는 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2도 공개했다. 차세대 PC와 노트북 D램 시장을 바꿀 제품으로 참석자의 이목이 집중됐다고 삼성전자는 전했다.
삼성전자가 공개한 Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있다. 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 편리하다.
삼성전자 이정배 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도할 것"이라고 밝혔다.
또 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 말했다.
삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며 이를 통해 하나의 칩에서 100Gb 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 9세대 V낸드에서는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이고, 내년 초 양산을 위한 동작 침을 성공적으로 확보했다. 셀의 평면적과 높이를 감소해 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비하고 있다.