SK하이닉스는 지난해 10월 업계 최초로 DDR5를 출시한 데 이어 1년 2개월 만에 최대 용량 제품을 선보임으로써 DDR5 분야 기술 주도권을 확고히 하고 있다고 설명했다.
이번 24Gb DDR5에는 EUV(극자외선) 공정을 도입한 10나노 4세대(1a) 기술이 적용됐다. 이와 함께 이 제품은 기존 10나노 2세대(1y) DDR5 제품 대비 칩당 용량이 16Gb에서 24Gb로 향상돼 생산효율이 개선됐고, 속도는 최대 33% 빨라졌다.
아울러 신제품의 전력 소모를 기존 제품 대비 약 25% 줄이고, 생산효율 개선에 따라 제조과정에서도 에너지 투입량을 줄였다. 회사는 이 제품을 통해 탄소 배출 저감 측면에서도 성과를 낼 것으로 기대하며, ESG(환경·사회·지배구조) 경영 관점에서도 큰 의미가 있다고 보고 있다.
이 제품은 48GB(기가바이트), 96GB 두 가지 모듈로 우선 출시돼 클라우드 데이터센터에 공급될 예정이다. 이어 인공지능, 머신러닝과 같은 빅데이터 처리와 메타버스 구현 등의 용도로 고성능 서버에도 활용될 전망이다.
인텔의 메모리∙IO기술담당 캐롤린 듀란 부사장은 "오랜 기간 협업해온 인텔과 SK하이닉스는 이번 신제품 협력을 통해 고객에게 최적의 솔루션을 제공할 것"이라며 "이번 24Gb 제품은 단일 D램 칩 최대 용량으로 데이터센터 운영비용의 효율성을 높여주는 강점을 가지고 있다"고 평가했다.
SK하이닉스 사업총괄 노종원 사장은 "24Gb DDR5 출시에 맞춰 클라우드 서비스를 하는 다수 고객사들과 긴밀히 협업을 진행하고 있다"며 "앞으로도 진화된 기술과 ESG 측면 강점을 가진 제품 개발로, 지속적으로 커질 것으로 예상되는 DDR5 시장에서 리더십을 키워가겠다"고 말했다.