HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능(AI) 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이라고 회사 측은 설명했다.
HBM2E의 가장 큰 특징은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올려 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다는 점이다.
초당 3.6기가비트(Gb) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능하다.
용량은 단일 16Gb 칩 8개를 TSV(D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술)로 수직 연결해 16GB를 구현했다.
HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 방식이 아니라 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십마이크로미터 간격으로 가깝게 장착한다. 칩간 거리를 단축시키면 빠른 데이터 처리가 가능해지는 것이다.
SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 "HBM2E 시장이 열리는 내년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서 리더십을 강화하겠다"고 말했다.