SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.
2세대 제품은 1세대에 비해 생산성이 약 20% 향상됐고 전력 소비는 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄다고 SK하이닉스는 설명했다.
데이터 전송 속도 역시 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다고 하이닉스는 덧붙였다.
이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다고 하이닉스는 밝혔다.
이것은 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술로 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다고 하이닉스는 설명했다.