이번 연구는 적층식 회로의 관통전극(TSV) 측정을 비파괴 방식으로 바꾸어 회로의 작동 여부 검사 비용과 시간을 획기적으로 줄일 수 있는 기술이다.
기존에는 생산 된 회로 실물 제품을 직접 잘라서 정상 여부를 판단했는데 광학현미경, 공초점현미경, 분광간섭계를 사용한 이 기술을 적용하면, 회로 내 관통전극의 모양을 입체적으로 측정할 수 있다.
또 적층형 반도체 생산 공정에서 검사에 필요한 샘플 회로 손실 없이 제품에 대한 전수검사가 고속으로 가능해진다.
관통전극(TSV)은 스마트 기기(스마트폰, 웨어러블 디바이스 등)의 작은 공간 내 아파트와 같이 수직으로 층을 쌓은 적층형 회로에 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 전기신호로 연결하는 기술이다.
안흘비씨는 "앞으로도 차세대 반도체 적층 소자의 미세 형상 측정 기술을 계속 연구해 반도체 분야의 검사계측 핵심 기술 개발 및 측정 표준 확립에 기여할 수 있도록 노력하겠다"고 말했다.
이번 연구결과는 '네이처'가 발행하는 온라인 학술지인 '사이언티픽리포트(Scientific Reports, I.F. 4.122)'에 지난 10월 26일 발표됐다.