그런데 이렇게 셀을 작게 만드는데 한계가 부딪히자 위아래로 쌓기 시작했는데 이 기술이 3D 낸드 기술이다.
3D낸드는 데이터를 저장하는 셀을 얼마나 높이 까지 쌓을 수 있느냐를 두고 경쟁해 오고 있는데 이런 셀을 쌓는 기술을 CTF(Charge Trap Flash)라고 부른다.
또 이렇게 쌓인 셀에 저장된 정보를 전달하고 처리하기 위해서는 Peri라는 공간이 필요하다.
고층빌딩 짓기 경쟁을 하면서도 주차장만은 건물앞 1층에 넒게 배치하는게 현재의 3D 낸드 기술이라면 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 기술은 이 주차장을 건물 지하로 넣는 방식이다.
SK하이닉스는 정보를 저장하는 CTF(Charge Trap Flash)와 정보를 처리하는 페리를 셀 아래에 배치하는 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 4D 낸드 구조의 96단 512Gbit 낸드플래시를 지난달 말 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다.
하이닉스는 이 기술에 따른 칩을 올해안에 양산을 시작할 계획이다.
셀을 96단으로 쌓는 방식은 도시바가 이미 지난 7월부터 적용해 양산해 오고 있지만 이는 셀 옆에 정보처리 영역을 배치하는 것이고 정보처리 영역을 셀 아래에 쌓는 방식은 SK하이닉스가 세계 최초로 개발했다.
SK하이닉스는 정보처리 영역을 셀 아래에 둠으로써 반도체 칩의 부피를 줄이고 같은 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩의 수를 50% 정도 늘릴 수 있다고 설명했다.
고층 빌딩의 외부 주차장을 지하로 배치함으로써 같은 면적의 땅에 고층건물을 더 여러채 지을 수 있는 것과 같은 원리라고 SK하이닉스 관계자는 덧붙였다.
SK하이닉스는 지난 8월 미국 산타클라라(Santa Clara)에서 열린 FMS(Flash MemorySummit) 기조연설(Keynote)에서 4D 낸드 기반의 차세대 낸드플래시 솔루션을 적기에 출시하겠다고 밝혔는데 두달만에 개발에 성공한 것이다.
한편 SK하이닉스는 96단 512Gbit 4D 낸드로 자체 개발 컨트롤러와 펌웨어를 탑재한 최대1TByte(테라바이트) 용량의 소비자용(Client) SSD를 연내에 선보일 계획이라고 밝혔다.
또 현재 72단 기반인 기업용(Enterprise) SSD도 내년에 96단으로 전환해 기업용 SSD 사업 및 경쟁력을 한층 강화할 예정이다.
SK하이닉스 NAND마케팅 담당 김정태 상무는 "연내 초도 양산을 시작하고, 향후 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입해 고객 요구에 적극 대응할 것"이라고 밝혔다.