삼성전자 평택캠퍼스. 삼성전자 제공삼성전자가 다음 달 본격 착공을 목표로 평택 5공장 건설 준비 작업을 재개한 것으로 알려졌다.
평택 5공장은 애초 지난해 5월 착공 예정이었지만, 반도체 실적 부진과 메모리 수주 부족 등으로 삼성전자가 설비 투자 속도 조절에 들어가며 연기됐다.
업계에서는 삼성전자의 평택 5공장 건설 준비 작업 재개를 '내년부터 HBM을 포함한 메모리 생산량이 확대될 것'이라는 전망에 대비하려는 움직임으로 평가하고 있다.
평택 5공장에는 10나노급 6세대(1c) 공정 D램 생산 라인이 도입될 예정인데, 삼성전자는 1c 공정을 활용해 6세대 제품인 HBM4에 탑재되는 D램을 양산한다는 계획이다.
삼성전자는 최근 HBM4의 내부 양산 승인을 통과하고 고객사와의 공급 협의를 위한 샘플 양산을 준비 중이다.
지금까지는 경쟁사에 비해 HBM 개발 속도가 약 3개월씩 뒤처져 있다는 평가지만, HBM4에서는 그 격차를 줄일 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.
일각에서는 삼성전자가 엔비디아 공급망 진입을 앞당기기 위해 HBM4 샘플을 대량으로 찍어내며 수율 문제를 개선하고 있다는 분석도 나온다.
SK하이닉스와 엔비디아 간 내년 HBM 공급 물량 협상이 마무리 단계인 만큼 삼성전자로선 안정적인 수율 및 성능 확보를 통해 빠르게 협상에 나서는 것이 급선무라는 것이다.
한편, 시장조사기관 옴디아에 따르면 올해 2분기 SK하이닉스의 D램 점유율(매출 기준)은 39.5%로, 1분기에 이어 2개 분기 연속 삼성전자를 앞지르고 1위를 차지했다.
SK하이닉스는 1992년 삼성전자가 D램 시장에서 세계 1위를 차지한 이후 33년 만인 지난 1분기 처음으로 삼성전자를 제치고 D램 시장 세계 최고 자리에 올라섰다.
2분기에는 삼성전자와 점유율 격차를 1분기 2.5%p의 두 배를 훌쩍 넘는 6.2%p로 벌리며 1위 자리 굳히기에 들어가는 모습이다.