연합뉴스
반도체 공급망 확대를 위한 각국의 경쟁이 불붙은 가운데 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC가 높은 점유율을 바탕으로 대만·미국에 이어 일본으로 반도체 영토를 확장하고 있다.
메모리에 이어 시스템 반도체에서도 글로벌 1위 자리에 오르겠다고 밝힌 삼성전자가 주춤하는 사이 TSMC가 파운드리 독주체제를 굳혔다는 평가가 나온다.
13일 업계에 따르면 니혼게이자이신문(닛케이)은 대만의 TSMC가 일본 구마모토현에 신규 반도체 공장을 건설하는 방안을 검토중이라고 11일 보도했다.
앞서 일본 언론은 TSMC가 일본 이바라키현 쓰쿠바시에 반도체 연구개발 시설을 건설하기로 했으며 일본 정부가 TSMC에 약 190억엔(2천억원)의 보조금을 지원한다고 밝힌 바 있다.
신설 공장에는 16나노미터(㎚, 1nm는 10억분의 1m)와 28나노 공정이 도입될 것으로 알려졌다.
기술경쟁이 치열한 5나노급 이하 첨단 미세화 공정은 아니지만 자동차와 스마트폰 등 최근 공급 부족 사태가 심화하고 있는 시스템 반도체 생산에 들어갈 것이라는 전망이 나온다.
일본은 1980년대 반도체 강국을 재건할 기회를 모색하는데 있어 세계 최고의 파운드리 기업인 TSMC가 필요하고, TSMC는 중국 시장을 포기하는 대신 점유율 확대를 위해 일본과 손 잡았다는 분석이다.
닛케이는 "미국과 중국의 대립 등으로 경제 안보의 중요성이 커진 가운데, 미국을 비롯한 세계 각국이 TSMC 공장 유치에 나서고 있다"며 "일본 정부가 뒤처진 반도체 산업을 재건할 결정적 카드로 TSMC 공장 유치에 나섰다"고 보도했다.
TSMC는 앞서 미국에서도 대규모 투자계획을 공개했다.
지난해 화웨이 제재 등 미중 무역분쟁 속에서 발빠르게 미국 편에 서며 미국의 환심을 샀고, 최근엔 애리조나에 짓고 있는 파운드리 공장을 총 6개 라인으로 확대하겠다고 발표했다. 투자 비용만 80조원이 넘을 것으로 전망된다.
지난 4월에는 향후 3년간 1천억달러(약 113조원)를 쏟아붓겠다는 장기 투자계획을 밝혔다. 앞으로 3년 동안 연평균 37조6천억원을 시설투자에 쏟아붓겠다는 것이다.
TSMC가 막대한 투자를 단행하는 것은 역대급 호실적이 뒷받침된 까닭이다. TSMC는 지난해 하반기부터 매분기 역대 최고 성적을 갈아치우고 있다.
올해 1분기 TSMC는 매출 129억달러(약 14조5천억원), 영업이익 53억6천만달러(약 6조원)로 사상 최고 실적을 기록했다. 1분기 삼성전자보다 매출은 4조원 이상 작은데 영업이익은 2배 가까이 높은 결과치다.
TSMC의 시가총액은 지난달 말 기준 5천432만9천300만달러(약 605조7천717억원)로 1년 전에 비해 96.3%나 급등하며 글로벌 반도체 기업 시총 1위 자리를 굳건히 지키고 있다.
2위인 삼성전자와 TSMC와의 시총 격차는 5월말 기준 1천179천만달러로, 1년 전보다 10배 수준으로 벌어졌다.
TSMC의 진격을 지켜보는 국내 반도체 업계와 삼성전자의 속내는 편치 못하다.
삼성전자는 지난달 정부가 발표한 'K반도체' 전략에서 오는 2030년까지 시스템 반도체도 1위 자리에 오르기 위해 2019년도에 계획했던 파운드리 등 시스템 반도체 투자금액을 133조원에서 171조원으로 늘리기로 했다.
연평균 투자금액은 15조∼16조원 선으로, 연평균 35조∼40조원을 쏟아붓는 TSMC의 절반에도 못미친다.
삼성전자의 지난해 반도체 시설 투자비는 32조9천억원으로 TSMC 못지않지만 연 20조원 이상은 메모리 반도체 1위 자리를 지키기 위해 써야 한다.
반면 삼성전자는 이재용 부회장 부재와 지속되는 사법리스크 속에 대규모 투자계획을 실행에 옮기지 못하고 있다.
현재 미국에 170억달러(약 20조원) 규모의 제2 파운드리 공장 건설을 추진중이나 아직 투자를 확정하지 못했다. 공사에 들어간 평택캠퍼스 3라인(P3)에는 파운드리 설비를 얼마나 들여올지 미정이다.
TSMC는 파운드리 기술력에서도 삼성보다 앞서가고 있다.
TSMC는 지난해 8월 대만 신주(新竹) 지역에 2나노 반도체 공장 건설을 공식화했는데, 10개월 만인 이달 초 웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)가 기술 설명회 자리에서 "올해 말까지 2나노 테스트 생산 시설을 완공할 계획"이라고 공개했다. 이런 속도라면 오는 2024년인 2나노 양산시점도 앞당길 수 있을 것이라는 관측이 나온다.
현재 5나노 양산을 시작한 삼성전자는 수율 문제로 좀처럼 TSMC와의 격차를 좁히지 못하고 있다.
삼성전자는 내년 이후 선보일 3나노 파운드리부터 기존 '핀펫' 공정 대신 차세대 구조인 'GAA(Gate-All-Around) FET' 공정을 적용해 TSMC와의 기술 격차를 뒤집겠다는 계획이다. TSMC는 내년 하반기부터 3나노 양산에 들어간다.