삼성전자 파운드리 공장 전경 (사진=삼성전자 제공)
MRAM은 D램처럼 처리속도는 빠르면서도 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성의 플래쉬 메모리 특성도 가지고 있다.
즉 D램의 빠른 속도와 낸드플래쉬의 저장능력을 겸비한 차세대 반도체라는 뜻이다.
이렇게 양수겸장하면서 전력은 적게 소모하고 속도도 매우 빠른데다 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 특징을 가진 차세대 반도체를 삼성이 내놨다.
삼성전자는 '28나노 FD-SOI 즉 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터 공정을 기반으로 만드는 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory' 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다.
삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 붙여 eMRAM을 만들어 출시하면서 파운드리 분야 기술 주도권을 강화했다고 설명했다.
특히 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정으로 이렇게 만들어진 내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이라고 삼성전자는 덧붙였다.
지금까지는 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용됐지만 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다.
그런데 삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없어 기존 eFlash보다 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.
또 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다고 삼성전자는 설명했다.
여기다 삼성전자의 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다고 회사측은 밝혔다.
삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.